高精度2-8英寸抛光硅片，CZ/FZ晶体类型，提供高级/测试/虚拟等级，适用于集成电路和MEMS制造。
2-8英寸热氧化硅片，SiO2层厚度精确控制，适用于集成电路介电层和MEMS应用。
先进的4-8英寸SOI硅片，顶层硅和BOX层厚度可定制，适用于射频、电源和MEMS器件。
多晶硅通过直拉法（CZ）或区熔法（FZ）生长成棒状单晶硅锭。
填写表格，24小时内获取报价
