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因此,晶体生长技术是半导体材料的核心关键技术之一。只有少数大型企业掌握了12英寸以上锭的晶体生长技术,中国在该领域仍处于追赶阶段。
| 参数类别 | 规格 |
|---|---|
| 定义 | 通过Czochralski(CZ)法或浮区(FZ)法从多晶硅生长的棒状单晶硅材料 |
| 生长技术 | Czochralski(CZ)法,浮区(FZ)法 |
| 可用直径 | 2英寸,3英寸,4英寸,5英寸,6英寸,8英寸,12英寸,18英寸 |
| 市场主流尺寸 | 8英寸,12英寸 |
| 核心质量决定因素 | 碳含量、氧含量、电阻率均匀性、内部晶体缺陷——均在晶体生长过程中确定 |
| 主要应用 | 硅片制造的上游原材料;锭的质量直接决定最终硅片质量 |
| 行业技术说明 | 晶体生长是半导体材料的核心关键技术之一。大型(12英寸及以上)晶体生长技术仅被少数全球主要制造商掌握,中国仍处于追赶阶段 |
常见问题
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